Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия INSB

Назначение: Предназначена для плавления, синтезирования и выращивания монокристаллов Антимонидов Индия с последующим отжигом выращенного кристалла.

Наименование параметра Значение
Максимальные размеры тигля, мм:
диаметр
высота 135
70
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя
графит
Высота нагревателя, мм 180
Максимальная температура, ˚С на нагревателе 1200
Точность регулирования температуры, ˚С 0,1
Среда в камере печи:
предельный вакуум, мм.рт.ст.
проток инертного или горячего газа, л/час 1*10-5
1 - 100
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0 - 50
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/ч 0 - 50
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин
200
Привод перемещения тигля:
Величина перемещения привода тигля, мм 200
Скорость вращения привода тигля, об/мин 0 - 20
Электропитание:
нагреватель
частота, Гц однофазный
50